Samsung introduceert 6,4"
Galaxy A50 met druppelnotch en
drie camera's

Samsung begint met de massaproductie van embedded ufs 3.0-geheugenchips met capaciteiten van 128GB en 512GB. De chips halen tot 2100MB/s en komen deze maand uit. In de tweede helft van dit jaar komen er 256GB- en 1TB-versies.

De ufs 3.0-geheugenmodule van 512GB bestaat uit acht gestapelde 512Gbit-dies van de vijfde generatie V-Nand-geheugen en een geïntegreerde geheugencontroller. Samsung brengt deze maand ufs 3.0-geheugenmodules uit met capaciteiten van 128GB en 512GB. Wellicht hebben de Galaxy S10, S10+ en S10e met die geheugengrootte deze chips aan boord. Op de specificatiepagina van de smartphones meldt Samsung niet welke ufs-opslag precies wordt gebruikt.

Volgens Samsung is het ufs 3.0-opslaggeheugen tot twee keer zo snel als ufs 2.1-flashopslag. De 512GB-chip haalt een maximale sequentiële leessnelheid van 2100MB/s en een schrijfsnelheid van 460MB/s. In januari presenteerde Samsung een ufs 2.1-module met een capaciteit van 1TB. Die heeft een leessnelheid 1000MB/s en schrijfsnelheid van 260MB/s. Vermoedelijk zit die module in de 1TB-versie van de Galaxy S10+.

Vanaf de tweede helft van dit jaar produceert Samsung ook ufs 3.0-modules van 256GB en 1TB. Die zouden bijvoorbeeld hun weg kunnen vinden naar de Galaxy Note 10. Samsung levert zijn ufs-geheugenmodules ook aan andere fabrikanten.

Bron: Tweakers